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PXAE213708NB-V1-R0

RF FET,MOSFET

更新日期:2024-04-01 00:04:00

PXAE213708NB-V1-R0

RF FET,MOSFET

产品简介:SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ

PXAE213708NB-V1-R0 中文资料属性参数

  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:50 : ¥439.72500卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:2.11GHz ~ 2.18GHz
  • 增益:16dB
  • 电压 - 测试:29 V
  • 额定电流(安培):10μA
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:750 mA
  • 功率 - 输出:54W
  • 电压 - 额定:65 V
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:PG-HB2SOF-8-1
  • 供应商器件封装:PG-HB2SOF-8-1

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9