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PTFB201402FC-V1-R0
RF FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
PTFB201402FC-V1-R0
RF FET，MOSFET产品简介：140W, SI LDMOS, 28V, 2010-2025MH
PTFB201402FC-V1-R0 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：托盘
- 产品状态：停产
- 技术：LDMOS
- 配置：双，共源
- 频率：2.01GHz ~ 2.025GHz
- 增益：16dB
- 电压 - 测试：28 V
- 额定电流（安培）：10μA
- 噪声系数：-
- 电流 - 测试：650 mA
- 功率 - 输出：140W
- 电压 - 额定：65 V
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：H-37248-4
- 供应商器件封装：H-37248-4