PSMN4R2-40VSHX
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
PSMN4R2-40VSHX
FET、MOSFET 阵列产品简介:PSMN4R2-40VSH - DUAL N-CHANNEL 4
PSMN4R2-40VSHX 中文资料属性参数
- 现有数量:2,487现货
- 价格:1 : ¥23.69000剪切带(CT)1,500 : ¥11.64014卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:2 个 N 通道(半桥)
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):37nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2590pF @ 25V
- 功率 - 最大值:85W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-1205,8-LFPAK56
- 供应商器件封装:LFPAK56D