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PSMN013-40VLDX
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PSMN013-40VLDX
FET、MOSFET 阵列产品简介：PSMN013-40VLD - DUAL N-CHANNEL 4
PSMN013-40VLDX 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥11.21000剪切带（CT）1,500 : ￥5.10861卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：13.6 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1160pF @ 25V
- 功率 - 最大值：46W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
- 供应商器件封装：LFPAK56D