搜索
发布采购
PSMB055N08NS1_R2_00601
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
PSMB055N08NS1_R2_00601
单 FET，MOSFET产品简介：80V/ 5.5MOHM / MV MOSFET
PSMB055N08NS1_R2_00601 中文资料属性参数
- 现有数量：398现货
- 价格：1 : ￥12.80000剪切带（CT）800 : ￥7.59614卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：108A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.75V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48 nC @ 7 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4773 pF @ 40 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：113.6W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：TO-263
- 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB