PMXB43UNEZ
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01
PMXB43UNEZ
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
PMXB43UNEZ 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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- 说明
- 询价
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Nexperia
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SOT1215
21+ -
4002
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上海市
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一级代理原装
PMXB43UNEZ 中文资料属性参数
- 现有数量:94,422现货
- 价格:1 : ¥3.66000剪切带(CT)5,000 : ¥0.82021卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):54 毫欧 @ 3.2A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):10 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):551 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DFN1010D-3
- 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘