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PMGD175XNEX
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PMGD175XNEX
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
PMGD175XNEX 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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INFINEON
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
PMGD175XNEX 中文资料属性参数
- 现有数量：598现货
- 价格：1 : ￥3.50000剪切带（CT）3,000 : ￥0.99443卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：870mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：252 毫欧 @ 900mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.65nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：81pF @ 15V
- 功率 - 最大值：260mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：6-TSSOP