PMDT290UCEH
FET、MOSFET 阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
PMDT290UCEH
FET、MOSFET 阵列产品简介:PMDT290UCE/SOT666/SOT6
PMDT290UCEH 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
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NEXPERIA
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业,提供一站式配套服务
PMDT290UCEH 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:4,000 : ¥0.93630卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q101
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:不适用于新设计
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 配置:N 和 P 沟道互补型
- FET 功能:-
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):800mA(Ta),550mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):380毫欧 @ 500mA,4.5V,850毫欧 @ 400mA,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA,1.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):680pC @ 4.5V,1.14nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):83pF @ 10V,87pF @ 10V
- 功率 - 最大值:330mW(Ta),1.09W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商器件封装:SOT-666