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PMDPB58UPE,115
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PMDPB58UPE,115
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6
PMDPB58UPE,115 供应商
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Nexperia
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SOT1118
21+ -
864
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上海市
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一级代理原装
PMDPB58UPE,115 中文资料属性参数
- 现有数量：6,300现货
- 价格：1 : ￥3.42000剪切带（CT）3,000 : ￥1.22269卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.6A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：67 毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：950mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：804pF @ 10V
- 功率 - 最大值：515mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-HUSON（2x2）