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PMCPB5530X,115
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PMCPB5530X,115
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON
PMCPB5530X,115 中文资料属性参数
- 现有数量：62,416现货
- 价格：1 : ￥4.05000剪切带（CT）3,000 : ￥1.42711卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：-
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta），3.4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：34 毫欧 @ 3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：660pF @ 10V
- 功率 - 最大值：490mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-UFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-HUSON（2x2）
PMCPB5530X,115 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 PMCPB5530X,115
|
MOSFET N/P-CH 20V 6HUSON |
18页,1.29M | 查看 |