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PJT7839_R1_00001
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PJT7839_R1_00001
FET、MOSFET 阵列产品简介：60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJT7839_R1_00001 中文资料属性参数
- 现有数量：5,535现货
- 价格：1 : ￥3.10000剪切带（CT）3,000 : ￥0.57096卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：250mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：51pF @ 25V
- 功率 - 最大值：350mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SOT-363