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PJS6603_S2_00001
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PJS6603_S2_00001
FET、MOSFET 阵列产品简介：30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
PJS6603_S2_00001 中文资料属性参数
- 现有数量：19,570现货
- 价格：1 : ￥3.42000剪切带（CT）10,000 : ￥0.84847卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.4A（Ta），2.9A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：48 毫欧 @ 4.4A，10V，110 毫欧 @ 2.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.8nC @ 10V，9.8nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：235pF @ 15V，396pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.25W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商器件封装：SOT-23-6