搜索
发布采购
PJS6601_S2_00001
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PJS6601_S2_00001
FET、MOSFET 阵列产品简介：20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
PJS6601_S2_00001 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：10,000 : ￥1.05956卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.1A（Ta），3.1A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 4.1A，4.5V，100 毫欧 @ 3.1A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V，5.4nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：350pF @ 10V，416pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.25W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商器件封装：SOT-23-6