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PJQ4403P_R2_00001
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
PJQ4403P_R2_00001
单 FET，MOSFET产品简介：30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ4403P_R2_00001 中文资料属性参数
- 现有数量：24,990现货
- 价格：1 : ￥4.85000剪切带（CT）5,000 : ￥1.61221卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.8A（Ta），35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1730 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta），30W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DFN3333-8
- 封装/外壳：8-PowerVDFN