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PJQ2888_R1_00001
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
PJQ2888_R1_00001
FET、MOSFET 阵列产品简介：20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJQ2888_R1_00001 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：Digi-Key 停止提供
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：Digi-Key 停止提供
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：325 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：150pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.25W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：DFN2020-8