搜索
发布采购
NX3020NAKV,115
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
NX3020NAKV,115
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 200MA SOT666
NX3020NAKV,115 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Nexperia
-
SOT666
21+ -
8000
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
NX3020NAKV,115 中文资料属性参数
- 现有数量：76,000现货
- 价格：1 : ￥3.18000剪切带（CT）4,000 : ￥0.70319卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 欧姆 @ 100mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.44nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：13pF @ 10V
- 功率 - 最大值：375mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-666