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NX1029XH
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NX1029XH
FET、MOSFET 阵列产品简介：NX1029X/SOT666/SOT6
NX1029XH 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：4,000 : ￥0.75127卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：不适用于新设计
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道互补型
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：50V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：330mA（Ta），170mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6欧姆 @ 500mA，10V，7.5欧姆 @ 100mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：600pC @ 4.5V，350pC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 10V，36pF @ 25V
- 功率 - 最大值：330mW（Ta），1.09W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-666