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NVTFWS9D6P04M8LTAG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVTFWS9D6P04M8LTAG
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
NVTFWS9D6P04M8LTAG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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WDFNW8 3.3x3.3, 0.65P (FullCut 8FL WF)
22+ -
670581
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上海市
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原装可开发票
NVTFWS9D6P04M8LTAG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥10.26000剪切带（CT）1,500 : ￥4.67565卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：13A（Ta），64A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.5 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 580μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：34.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2312 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），75W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerWDFN