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NVTFS052P04M8LTAG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVTFS052P04M8LTAG
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
NVTFS052P04M8LTAG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ORSEMI/安森美
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WDFN-8/u8FL
22+ -
670508
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上海市
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原装可开发票
NVTFS052P04M8LTAG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥7.23000剪切带（CT）1,500 : ￥3.09167卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.7A（Ta），13.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：69 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 95μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：424 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.9W（Ta），23W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerWDFN