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NVMYS3D5N04CTWG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMYS3D5N04CTWG
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
NVMYS3D5N04CTWG 供应商
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LFPAK-4
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上海市
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原装可开发票
NVMYS3D5N04CTWG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货15,000Factory
- 价格：1 : ￥14.07000剪切带（CT）3,000 : ￥6.43444卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Ta），102A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.3 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 60μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1600 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），68W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：LFPAK4（5x6）
- 封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK