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NVMYS005N10MCLTWG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMYS005N10MCLTWG
单 FET，MOSFET产品简介：PTNG 100V LL LFPAK4
NVMYS005N10MCLTWG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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LFPAK-4
22+ -
670428
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上海市
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原装可开发票
NVMYS005N10MCLTWG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货21,000Factory
- 价格：3,000 : ￥9.41049卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18.4A（Ta），108A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 34A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 192μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：55 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4100 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），131W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：LFPAK4（5x6）
- 封装/外壳：SOT-1023，4-LFPAK