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NVMTSC4D3N15MC
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMTSC4D3N15MC
单 FET，MOSFET产品简介：PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
NVMTSC4D3N15MC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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DFNW-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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DFNW-8
22+ -
670426
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上海市
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原装可开发票
NVMTSC4D3N15MC 中文资料属性参数
- 现有数量：2,862现货
- 价格：1 : ￥49.29000剪切带（CT）3,000 : ￥24.72099卷带（TR）
- 系列：DUAL COOL?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：23A（Ta），165A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.45 毫欧 @ 95A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 521μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：79 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6514 pF @ 75 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：5W（Ta），292W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装：8-TDFNW（8.3x8.4）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN