NVMTS1D0N04CLTXG
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
NVMTS1D0N04CLTXG
单 FET,MOSFET产品简介:T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
NVMTS1D0N04CLTXG 供应商
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onsemi
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21+ -
27000
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ORSEMI/安森美
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DFNW-8
22+ -
670418
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上海市
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原装可开发票
NVMTS1D0N04CLTXG 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:3,000 : ¥22.37519卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q101
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51.3A(Ta),291A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1mOhm @ 50A, 10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 210μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):122 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7408 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):4.7W(Ta),153W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-DFNW(8.3x8.4)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN