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NVMJST1D2N04CTXG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMJST1D2N04CTXG
单 FET，MOSFET产品简介：TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
NVMJST1D2N04CTXG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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TCPAK10 5.1x7.5, 1.0P
22+ -
670401
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上海市
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原装可开发票
NVMJST1D2N04CTXG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：3,000 : ￥14.95117卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：451A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.25 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：82 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：454W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：10-TCPAK
- 封装/外壳：10-PowerLSOP（0.209"，5.30mm 宽）裸焊盘