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NVMJD012N06CLTWG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMJD012N06CLTWG
FET、MOSFET 阵列产品简介：T6 60V N-CH LL IN LFPAK56 DUALS
NVMJD012N06CLTWG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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LFPAK8 5.15x6.15
22+ -
670384
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上海市
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原装可开发票
NVMJD012N06CLTWG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：3,000 : ￥6.18076卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11.5A（Ta），42A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：11.9 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 30μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：792pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.2W（Ta），42W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-1205，8-LFPAK56
- 供应商器件封装：8-LFPAK