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NVMFWS2D3P04M8LT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMFWS2D3P04M8LT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MV8 P INITIAL PROGRAM
NVMFWS2D3P04M8LT1G 供应商
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ON
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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ORSEMI/安森美
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DFNW5 5x6 (FULL-CUT SO8FL WF)
22+ -
670117
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上海市
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原装可开发票
NVMFWS2D3P04M8LT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1,500 : ￥14.68691卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Ta），222A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 2.7mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：157 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5985 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），205W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线