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NVMFS5C682NLAFT3G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMFS5C682NLAFT3G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
NVMFS5C682NLAFT3G 供应商
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- 封装/批号
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- 说明
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ONSemiconductor
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5-DFN(5x6)(8-SOFL)
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NVMFS5C682NLAFT3G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：5,000 : ￥3.76805卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：不适用于新设计
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.8A（Ta），25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：21 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 16μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：410 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），28W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线