NVMFS5C466NLWFT1G
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
NVMFS5C466NLWFT1G
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 40V 16A/52A 5DFN
NVMFS5C466NLWFT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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DFNW5 5x6 (FULL-CUT SO8FL WF)
22+ -
670249
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上海市
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原装可开发票
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ONSemiconductor
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5-DFN(5x6)(8-SOFL)
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NVMFS5C466NLWFT1G 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:1,500 : ¥6.03451卷带(TR)
- 系列:Automotive, AEC-Q101
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A(Ta),52A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7.3 毫欧 @ 10A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 30μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):16 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):860 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.5W(Ta),37W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN,5 引线