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NVMFS3D6N10MCLT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2025-01-08 14:01:35
NVMFS3D6N10MCLT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 100V 20A/132A 5DFN
NVMFS3D6N10MCLT1G 供应商
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- 说明
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-
NVMFS3D6N10MCLT1G
原装现货 -
ONSEMI
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TDFN-8
23+ -
4500
-
深圳
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01-08
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原厂渠道，现货，支持实单
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ONSEMI
-
SMD
23+ -
4500
-
上海市
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-
-
原装进口
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ORSEMI/安森美
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SO-8FL/DFN-5
22+ -
670121
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上海市
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-
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原装可开发票
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ON
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DFN5
新批号 -
887000
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上海市
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-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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ONSEMI
-
-
23+ -
4500
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上海市
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原装，假一罚十
NVMFS3D6N10MCLT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥27.11000剪切带（CT）1,500 : ￥14.32943卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），132A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.6 毫欧 @ 48A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 270μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4411 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），139W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线