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NVMFS025P04M8LT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMFS025P04M8LT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
NVMFS025P04M8LT1G 供应商
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3000
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SO-8FL/DFN-5
22+ -
670111
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上海市
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原装可开发票
NVMFS025P04M8LT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥7.55000剪切带（CT）1,500 : ￥3.23052卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.4A（Ta），34.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 255μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1058 pF @ 20 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），44.1W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线