搜索
发布采购
NVMFD5C446NT1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMFD5C446NT1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：40V 2.9 MOHM T8 S08FL DUA
NVMFD5C446NT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ORSEMI/安森美
-
SO-8FL Dual/DFN-8
22+ -
670057
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
NVMFD5C446NT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥33.95000剪切带（CT）1,500 : ￥17.92062卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：24A（Ta），127A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.9 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2450pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.2W（Ta），89W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道）