搜索
发布采购
NVMD4N03R2G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVMD4N03R2G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
NVMD4N03R2G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
onsemi
-
SOIC-8 Narrow Body
21+ -
4565
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
ORSEMI/安森美
-
SOIC-8
22+ -
670044
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
ONSemiconductor
-
8-SOIC
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NVMD4N03R2G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥10.89000剪切带（CT）2,500 : ￥4.61641卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：400pF @ 20V
- 功率 - 最大值：2W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SOIC