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NVLJWD023N04CLTAG
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVLJWD023N04CLTAG
FET、MOSFET 阵列产品简介：T6 40V LL 2X2 WDFNW6
NVLJWD023N04CLTAG 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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WDFNW6 2.2x2.3, 0.8P
22+ -
670032
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上海市
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原装可开发票
NVLJWD023N04CLTAG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：3,000 : ￥2.99120卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：7A（Ta），25A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：23 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 13μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：440pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W（Ta），24W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-WDFNW（2.2x2.3）