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NVJS3151PT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVJS3151PT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88
NVJS3151PT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ORSEMI/安森美
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SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
22+ -
670028
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上海市
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原装可开发票
NVJS3151PT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.7A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.8V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.3A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 100μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：850 pF @ 12 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363