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NVJD5121NT1G
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVJD5121NT1G
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
NVJD5121NT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ONSEMI
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23+ -
8000
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上海市
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原厂原装假一赔十
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ORSEMI/安森美
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SC-88-6/SC-70-6/SOT-363-6
22+ -
670025
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上海市
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原装可开发票
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Onsemi
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SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
NVJD5121NT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：17,465现货
- 价格：1 : ￥3.10000剪切带（CT）3,000 : ￥0.69774卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：2 N-通道（双）
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：295mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：26pF @ 20V
- 功率 - 最大值：250mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363