搜索
发布采购
NVGS3130NT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVGS3130NT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
NVGS3130NT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ORSEMI/安森美
-
TSOP-6
22+ -
669992
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
ONSemiconductor
-
6-TSOP
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NVGS3130NT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货12,000Factory
- 价格：3,000 : ￥3.99705卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 5.6A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：20.3 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：935 pF @ 16 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：600mW（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：6-TSOP
- 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6