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NVD5C486NT4G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVD5C486NT4G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 40V 9.2A/23A DPAK
NVD5C486NT4G 供应商
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ORSEMI/安森美
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DPAK-3
22+ -
669974
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上海市
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原装可开发票
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ONSemiconductor
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DPAK(SINGLEGAUGE)
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NVD5C486NT4G 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥13.20000剪切带（CT）2,500 : ￥5.58974卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9.2A（Ta），23A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17.9 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.9W（Ta），18.3W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DPAK
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63