NVD4810NT4G
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
NVD4810NT4G
单 FET,MOSFET产品简介:MOSFET N-CH 30V 9A/54A DPAK
NVD4810NT4G 供应商
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DPAK-4
21+ -
8
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一级代理原装
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ONSemiconductor
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DPAK-3
18+ -
400
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上海市
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ORSEMI/安森美
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DPAK-3
22+ -
669954
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上海市
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原装可开发票
NVD4810NT4G 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:停产
- 系列:Automotive, AEC-Q101
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A(Ta),54A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,11.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):11 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1350 pF @ 12 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.4W(Ta),50W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63