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NVBGS4D1N15MC
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVBGS4D1N15MC
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
NVBGS4D1N15MC 供应商
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D2PAK7
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D2PAK/TO-263-7L
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D2PAK-7/TO-263-7
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669921
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上海市
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原装可开发票
NVBGS4D1N15MC 中文资料属性参数
- 现有数量：396现货
- 价格：1 : ￥145.09000剪切带（CT）800 : ￥100.17871卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：最后售卖
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），185A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4，1毫欧 @ 104A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4，5V @ 574μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：88.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7285 pF @ 75 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3，7W（Ta），316W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK（TO-263）
- 封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）