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NVBGS1D2N08H
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVBGS1D2N08H
单 FET，MOSFET产品简介：T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
NVBGS1D2N08H 供应商
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国产品牌isc，33年国产工厂
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ORSEMI/安森美
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D2PAK7 (TO-263-7LD) 15.4x9.9x4.5
22+ -
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原装可开发票
NVBGS1D2N08H 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：800 : ￥36.95671卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：最后售卖
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：43A（Ta），290A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.34mOhm @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 650μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：160 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10830 pF @ 40 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：5.7W（Ta），259W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK-7
- 封装/外壳：TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）