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NVBG089N65S3F
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NVBG089N65S3F
单 FET，MOSFET产品简介：SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
NVBG089N65S3F 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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D2PAK7 (TO-263-7L HV)
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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D2PAK7 (TO-263-7L HV)
22+ -
669915
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上海市
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原装可开发票
NVBG089N65S3F 中文资料属性参数
- 现有数量：800现货11,200Factory
- 价格：800 : ￥50.64019卷带（TR）
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：37A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：89 毫欧 @ 18.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 970μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：74 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3598 pF @ 400 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：291W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：D2PAK-7
- 封装/外壳：TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA