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NTZD3155CT1H
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01
NTZD3155CT1H
FET、MOSFET 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 20V SOT563
NTZD3155CT1H 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ONSemiconductor
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SOT-563-6
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NTZD3155CT1H 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：停产
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：540mA，430mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：150pF @ 16V
- 功率 - 最大值：250mW
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-563