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NTTFSS1D1N02P1E
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTTFSS1D1N02P1E
单 FET，MOSFET产品简介：25V PT11E IN 3X3 SD PACKAGE
NTTFSS1D1N02P1E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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Onsemi
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WDFN9 3.3x3.3, 0.65P
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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WDFN9 3.3x3.3, 0.65P
22+ -
669892
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上海市
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原装可开发票
NTTFSS1D1N02P1E 中文资料属性参数
- 现有数量：3,000现货
- 价格：3,000 : ￥8.19094卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Ta），264A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.85 毫欧 @ 27A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 934μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4360 pF @ 13 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2W（Ta），89W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：9-WDFN（3.3x3.3）
- 封装/外壳：9-PowerWDFN