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NTTFS4C06NTAG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
NTTFS4C06NTAG
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
NTTFS4C06NTAG 供应商
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NTTFS4C06NTAG
原装现货 -
ON
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WDFN-8
21+/22+ -
6000
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深圳
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12-03
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QQ询价原装真实库存现货热卖
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ON
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N/A
2022+ -
51000
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苏州
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-
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原装
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ONSEMI
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-
23+ -
8000
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上海市
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-
-
原厂原装假一赔十
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ON/安森美
-
WDFN8
21+ -
10000
-
杭州
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-
原装正品，BOM一站式服务
-
ORSEMI/安森美
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WDFN-8/u8FL
22+ -
669862
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上海市
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原装可开发票
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ONSemiconductor
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8-WDFN(3.3x3.3)
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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ON/ELNAF
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WDFN-8
1915+ -
210
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NTTFS4C06NTAG 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货1,500Factory
- 价格：1 : ￥12.40000剪切带（CT）1,500 : ￥5.63759卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Ta），67A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.2 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3366 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：810mW（Ta），31W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-WDFN（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerWDFN