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NTTFS008P03P8Z
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTTFS008P03P8Z
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
NTTFS008P03P8Z 供应商
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- 封装/批号
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Onsemi
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PQFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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PQFN-8
22+ -
669841
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上海市
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原装可开发票
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ONSEMI
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Trans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
22+ -
3000
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上海市
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原装，假一罚十
NTTFS008P03P8Z 中文资料属性参数
- 现有数量：7,736现货9,000Factory
- 价格：1 : ￥24.96000剪切带（CT）3,000 : ￥12.52245卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：P 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），96A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3，8毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：134 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5600 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2，36W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-PQFN（3.3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerWDFN