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NTTBC070NP10M5L
FET、MOSFET 阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTTBC070NP10M5L
FET、MOSFET 阵列产品简介：MV5_100V_N_P_IN DUALS AND
NTTBC070NP10M5L 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
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Onsemi
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WDFN-8
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ORSEMI/安森美
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WDFN-8
22+ -
669827
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上海市
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原装可开发票
NTTBC070NP10M5L 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：1 : ￥8.74000剪切带（CT）3,000 : ￥3.71626卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 配置：N 和 P 沟道
- FET 功能：-
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.5A（Ta），9.5A（Tc），2.2A（Ta），5A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：70 毫欧 @ 1.3A，10V，186 毫欧 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3V @ 24μA，4V @ 40μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：5.6nC @ 10V，7.3nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：252pF @ 50V，256pF @ 50V
- 功率 - 最大值：1.9W（Ta），14W（Tc），1.9W（Ta），10W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：8-PowerWDFN
- 供应商器件封装：8-WDFN（3x3）