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NTMTS002N10MCTXG
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMTS002N10MCTXG
单 FET，MOSFET产品简介：PTNG 100V, SINGLE NCH, PQFN8X8 S
NTMTS002N10MCTXG 供应商
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NTMTS002N10MCTXG 中文资料属性参数
- 现有数量：3,000现货
- 价格：3,000 : ￥27.47505卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Ta），236A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 90A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 520μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：89 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6305 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：9W（Ta），255W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-DFNW（8.3x8.4）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN