NTMFSS1D3N06CL
单 FET,MOSFET更新日期:2024-04-01 00:04:00
NTMFSS1D3N06CL
单 FET,MOSFET产品简介:60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOW
NTMFSS1D3N06CL 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Onsemi
-
TDFN9 5x6, 1.27P
23+ -
2000
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
ORSEMI/安森美
-
TDFN9 5x6, 1.27P
22+ -
669679
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
NTMFSS1D3N06CL 中文资料属性参数
- 现有数量:0现货
- 价格:1 : ¥51.59000剪切带(CT)3,000 : ¥28.16960卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A(Ta),243A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.3 毫欧 @ 50A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):117 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8190 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),153W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:9-TDFN(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN

搜索
发布采购