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NTMFS4C10NT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01
NTMFS4C10NT1G
单 FET，MOSFET产品简介：MOSFET N-CH 30V 8.2A 5DFN
NTMFS4C10NT1G 供应商
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NTMFS4C10NT1G
原装现货 -
ON
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QFN
21+ -
1500
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深圳
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12-03
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QQ询价原装真实库存现货热卖
-
ON
-
NA
2022+ -
11033
-
苏州
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-
-
原装
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onsemi
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DFN5 5X6, 1.27P (SO 8FL)
21+ -
383254
-
上海市
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-
-
一级代理原装
-
ON SEMICONDUCTOR
-
-
23+ -
8000
-
上海市
-
-
-
原厂原装假一赔十
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ON/安森美
-
SMD
21+ -
10000
-
杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ORSEMI/安森美
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SO-8FL/DFN-5
22+ -
669581
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上海市
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-
-
原装可开发票
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ONSemi
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SO-8FL / DFN-5
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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ON/ELNAF
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QFN8
1906+ -
100000
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
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ONSemiconductor
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5-DFN(5x6)(8-SOFL)
18+ -
400
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上海市
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-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NTMFS4C10NT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：2,372现货
- 价格：1 : ￥11.13000剪切带（CT）1,500 : ￥5.05359卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.2A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.95 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：987 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：750mW（Ta），23.6W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线