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NTMFS3D2N10MDT1G
单 FET，MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
NTMFS3D2N10MDT1G
单 FET，MOSFET产品简介：PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
NTMFS3D2N10MDT1G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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ORSEMI/安森美
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DFN5 5x6, 1.27P (SO8FL)
22+ -
669551
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上海市
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原装可开发票
NTMFS3D2N10MDT1G 中文资料属性参数
- 现有数量：837现货
- 价格：1 : ￥25.92000剪切带（CT）1,500 : ￥13.69588卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：19A（Ta），142A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.5 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 316μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：71.3 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3900 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），155W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线